电力电子实验装置

1.必须采用模块化设计，模块采用全透明亚克力外壳，能直观的看到内部电路结构、元器件及电路板丝印标识。外壳底部装有强力磁石，可以吸附在支架的网孔背板上，位置可以任意挪动。模块之间可靠连接，方便组合搭配和拆卸。要求标书内附有符合此项要求的产品实物照片或图片，并加以说明具体的实现方式；

2.MOSFET功率电路要求采用大功率MOSFET（600V/25A）的半桥型电路结构，并带有隔离的驱动电路及保护电路,可以组合成半桥、H桥、三相全桥的功率电路结构。

3.要求提供SPWM控制模块，可以输出相位互差120°的6路PWM波，占空比、频率可调且死区时间≤2us。三相正弦调制波频率20～200Hz可调，载波频率5K~20KHz可调。以上信号均可示波器测量；

4.要求提供PWM控制模块，可以输出相位互差180°的2路PWM波，占空比、频率可调且死区时间≤2us。调制波幅值可调，载波频率5KHz、10KHz，20KHz三档可选。以上信号均可示波器测量；

5.要求配有独立的三相LC滤波模块，L=1mH，C=22uF，且参数可定制；

6.要求模块的硬件接口和电路线路图完全开放。装置的所有电路结构、线路原理图全部开放；所有功能接口的信号定义、特性、功能和技术指标全部开放。要求标书内附有IGBT半桥结构的模块电路图截图和说明性资料；

7.设备硬件可与NI仿真器做无缝对接，进行半实物仿真及设计性实验；

8.实验要求：

（1）MOSFET特性实验

（2）PWM控制原理实验

（3）SPWM控制原理实验

（4）降压斩波电路（Buck Chopper）实验

（5）升压斩波电路（Boost Chopper）实验

（6）升降压斩波电路（Boost-Buck Chopper）实验

（7）单相全桥逆变电路实验

（8）三相桥式逆变电路实验

（9）单相半波可控整流电路实验

（10）单相桥式全控整流电路实验

（11）三相半波可控整流电路实验

（12）三相桥式全控整流电路实验

（13）单相交流调压实验